基于GaN的高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）是下一代射频应用的关键技术，广泛应用于5G通信、卫星系统、雷达及高效能功率放大器。
相比传统硅器件，这些器件在高频性能、功率密度与热稳定性方面展现出显著优势。
随着亚洲及全球增长市场对GaN-HEMT的需求不断扩大，制造商必须应对新兴的工艺挑战，特别是在量产环境下，确保良率、一致性与器件可靠性显得尤为关键。
GaN-HEMT器件的制造需在多个层次与界面上实现精细工艺控制，主要挑战包括：
GaN与AlGaN层的蚀刻控制：
需高选择性并最小化损伤，避免影响有源层，特别是在复合结构与薄膜处理中。
2DEG通道的保持：
等离子诱导的损伤或应力会削弱二维电子气（2DEG）性能。低损伤工艺对于维持高载流子迁移率至关重要。
表面钝化与绝缘膜形成：
沉积膜需具备良好的均匀性、低应力与热稳定性，以实现RF结构的隔离并提升击穿电压。
高速背面通孔蚀刻：
对于需背面布线或散热通孔的器件，需实现GaN或其他材料的快速、均匀蚀刻。
SPT提供专为GaN HEMT器件设计的蚀刻与PECVD系统，兼顾高精度、可重复性与低损伤处理。
高选择性蚀刻GaN/AlGaN层，避免损伤2DEG
平滑的侧壁与极小的表面粗糙度
精确控制台面、栅极与通孔结构
低离子损伤沉积钝化与绝缘膜（如SiNₓ）
优化热稳定性与击穿电压表现
可调应力控制，适用于高频基板
适用于散热或互连的通孔结构
在大尺寸晶圆上保持一致蚀刻速率与小锥度