解决方案

什么是博世工艺中的扇贝纹（Scallop）？降低扇贝纹的设计思路

解析博世工艺中必然产生的扇贝纹（Scallop）现象。从Si DRIE标准技术原理出发，深入探讨扇贝纹导致的漏电流增大及TSV孔洞等可靠性问题，并基于行业数据系统阐述降低扇贝纹与刻蚀速率之间的权衡关系及解决方案。

什么是Si DRIE？Bosch工艺原理与硅深刻蚀基础

系统解析硅深反应离子刻蚀（Si DRIE）与博世工艺原理。全面介绍基于SF6与C4F8的各向异性刻蚀机制，深入探讨扇贝纹（Scallop）及ARDE等技术挑战与对策，助力掌握MEMS和TSV制造中的关键工艺。

基于 Bosch 工艺的硅深反应离子刻蚀 (Si DRIE)

详解硅深反应离子刻蚀（Si DRIE）的博世工艺原理，并介绍深宽比超60、刻蚀速率达30μm/min以上的设备应用案例。欢迎免费下载本技术资料，为MEMS与TSV制造的工艺开发及设备选型提供参考。

MEMS器件制造工艺概述：硅微加工的基本流程

系统解析MEMS器件制造流程：深入探讨硅深反应离子刻蚀（DRIE）原理、Bosch工艺与低温刻蚀的技术差异，并全面梳理微结构粘连（Stiction）、底部钻蚀（Notching）等量产技术难点与应对方案。

先进封装与

SPT 通过高速深刻蚀与高质量 PECVD 技术，支持基于 TSV 的先进 3D 封装集成。

LED器件

了解 SPT 在微型 LED 制造中的应用，包括材料控制与薄膜精度的等离子体刻蚀和 PECVD 技术。

MEMS器件

了解 SPT 如何通过等离子体刻蚀和 PECVD 技术支持 MEMS 器件的高精度、大规模制造。

电力器件

了解 SPT 如何通过刻蚀与热处理设备，支持功率器件制造中的钝化、深刻蚀等关键工艺。

RF Devices

SPT 提供适用于 GaN-HEMT 的低损伤刻蚀与沉积系统，助力射频器件的集成与性能提升。