解决方案

SiC功率器件的干法刻蚀工艺：为什么不能沿用硅（Si）的工艺条件

为何SiC功率器件的干法刻蚀无法沿用硅基条件？本文深入解析碳化硅高键合能与热导率带来的工艺制约，并探讨刻蚀选择比、侧壁形貌控制的权衡困境，以及解决加工挑战的技术要点。

面向多样化材料的绝缘介质与化合物半导体刻蚀技术

探讨如何应对从绝缘膜到化合物半导体不同材料的刻蚀特性差异。本技术资料详细介绍了SiO₂、InP、SiC的精密加工案例与设备选型思路，助力提升工艺品质。欢迎免费下载技术白皮书，获取更多前沿解决方案。

电力器件

了解 SPT 如何通过刻蚀与热处理设备，支持功率器件制造中的钝化、深刻蚀等关键工艺。