解决方案

实现厚膜SiO₂与低应力SiN的PECVD技术

免费下载技术资料！介绍PECVD设备Cetus在MEMS与半导体器件开发中的薄膜沉积案例。通过优化RF施加方式，解决厚膜SiO₂及低应力SiN沉积中的薄膜剥离、裂纹及梁结构断裂等难题。

面向多样化材料的绝缘介质与化合物半导体刻蚀技术

探讨如何应对从绝缘膜到化合物半导体不同材料的刻蚀特性差异。本技术资料详细介绍了SiO₂、InP、SiC的精密加工案例与设备选型思路，助力提升工艺品质。欢迎免费下载技术白皮书，获取更多前沿解决方案。

基于 Bosch 工艺的硅深反应离子刻蚀 (Si DRIE)

详解硅深反应离子刻蚀（Si DRIE）的博世工艺原理，并介绍深宽比超60、刻蚀速率达30μm/min以上的设备应用案例。欢迎免费下载本技术资料，为MEMS与TSV制造的工艺开发及设备选型提供参考。