解决方案

化合物半导体（GaAs·InP）的等离子体刻蚀：氯基气体的选择与控制

本文解析GaAs与InP等离子体刻蚀中氯化物挥发性的差异对加工的影响。深入探讨Cl2、BCl3、Ar、N2气体的作用分工，以及应对基底温度、PID损伤、深宽比（ARDE）等实际工艺挑战与低偏压优化方案。

面向多样化材料的绝缘介质与化合物半导体刻蚀技术

探讨如何应对从绝缘膜到化合物半导体不同材料的刻蚀特性差异。本技术资料详细介绍了SiO₂、InP、SiC的精密加工案例与设备选型思路，助力提升工艺品质。欢迎免费下载技术白皮书，获取更多前沿解决方案。