在 MEMS 及半导体器件中，SiO₂和SiN等绝缘薄膜得到了广泛应用；而在光和SiN等绝缘薄膜得到了广泛应用；而在光电子器件、高频器件以及功率半导体领域，则常采用 InP、GaN、GaAs、SiC 等化合物半导体材料。由于这些材料的物理与化学特性差异巨大，使用单一设备或通用工艺条件很难同时兼顾高均匀性与精细形貌控制。因此，必须针对不同材料，采用经过专门优化的等离子体源与电源配置设计。
本报告将通过三款覆盖从绝缘介质到高难加工化合物半导体的 RIE（反应离子刻蚀）系统—可产生高密度等离子体的 Sirius、兼具低损伤与高精度加工的 Spica，以及在难加工材料的均匀性与形貌控制方面表现卓越的 Sculptor—的实际刻蚀案例，系统梳理针对不同材料特性的设备选型与工艺设计思路。
具体而言，本文将重点介绍：利用SiO₂深孔刻蚀实现高深宽比垂直加工的案例；在InP 沟槽刻蚀中实现高掩模选择比与透镜形貌高精度控制的案例；以及在SiC通孔（Via）刻蚀中长时间连续处理的均匀性与稳定性评估结果。如需查看包含实测数值的详细数据，欢迎参阅报告正文。希望本报告能为广大工程师在从绝缘膜到化合物半导体的材料工艺开发中提供有价值的参考。
