MEMSや半導体デバイスではSiO2・SiNなどの絶縁膜が広く使われる一方、光・高周波デバイスやパワー半導体ではInP、GaN、GaAs、SiCといった化合物材料が用いられます。これらは物性が大きく異なるため、単一の装置・条件で高い均一性と精密なプロファイル制御を両立させることは容易ではなく、材料ごとに最適化されたプラズマ源・電源設計が求められます。

本レポートでは、絶縁物から難加工性の高い化合物半導体まで、幅広い材料に対応するRIEシステム3機種——高密度プラズマを生成するSirius、低ダメージ・高精度加工を実現するSpica、難加工材料への均一性と形状制御に強みを持つSculptor——による実際のエッチング事例を通じて、材料特性に応じた装置選定・プロセス設計の考え方を整理します。

具体的には、SiO2の深掘りエッチングによる高アスペクト比の垂直加工事例、InPトレンチエッチングにおけるマスク選択比とレンズ形状の高精度制御事例、そしてSiCビアエッチングでの長時間連続処理における均一性・安定性の評価結果をご紹介しています。数値実績を含む詳細データは、ぜひ資料本編でご確認ください。絶縁膜から化合物半導体まで、材料特性に応じたプロセス検討の一助としてご活用ください。