ソリューション

SiCパワーデバイスのドライエッチングプロセス：なぜシリコンと同じ条件が使えないのか

SiCパワーデバイスのドライエッチングプロセスで、なぜシリコンと同じ条件が使えないのか。炭化ケイ素の結合エネルギー・熱伝導率が生む制約と、選択比・プロファイル制御のジレンマを技術解説します。

多様な材料に対応した絶縁物・化合物エッチング

絶縁膜から化合物半導体まで、材料ごとに異なるエッチング特性にどう対応するか。SiO2・InP・SiCの加工事例と装置選定の考え方を紹介する技術資料を無料ダウンロード。

SiCパワーデバイス

深堀エッチングからパッシベーションまで、SPTのプラズマ・熱処理装置が高性能パワーデバイス製造を支援します。