ソリューション

ボッシュプロセスによるSi深掘りエッチング (Si DRIE)

Si深掘りエッチング（DRIE）のボッシュプロセス原理と、アスペクト比60以上・高速30μm/min以上を実現した装置事例を解説。MEMS・TSV製造のプロセス検討に役立つ資料を無料でダウンロードできます。

ボッシュプロセスにおけるスキャロップとは？低減の考え方

ボッシュプロセスで必然的に発生するスキャロップとは何か。DRIEの標準技術の原理から、リーク電流やTSVボイドといったデバイス影響、低減アプローチとエッチングレートのトレードオフまでを、業界データに基づき解説します。