ソリューション

PECVDによる薄膜成膜：SiO₂とSiNの膜質制御パラメータ

同じプラズマCVD（PECVD）でも、条件次第で膜質は大きく変わります。SiO₂とシリコン窒化膜（SiN）の膜応力・屈折率を決める周波数、ガス流量比、基板温度の制御パラメータを、実データをもとに解説します。

低温PECVDとサーマルバジェットの考え方

サーマルバジェットの制約が厳しさを増すなか、低温PECVDで問われるのは到達温度の低さではなく、温度を下げても膜質を維持できるか。熱収支の考え方から、低温成膜で生じるトレードオフ、絶縁膜の評価軸までを実務視点で解説します。

PECVDとは？プラズマ成膜技術の基礎

PECVDとは、プラズマを利用して薄膜を形成する成膜技術です。原理からLPCVD・ALDとの違い、装置の性能水準、膜応力制御やプラズマダメージなど実務の課題までを公開データで解説します。

厚膜SiO₂および低応力SiNを実現するPECVD技術

厚膜SiO₂や低応力SiNの成膜が求められるMEMS・半導体デバイス開発で、膜剥がれ・クラック・破断を抑えるPECVD装置Cetusの成膜事例を紹介する技術資料を無料でダウンロードできます。