ソリューション

犠牲層エッチングにおけるスティクション対策

犠牲層エッチングにおけるスティクション対策を、原因から整理。ウェット乾燥の毛細管力と気相HFの水の凝縮を切り分け、超臨界CO2乾燥や気相リリースの前提条件、確認ポイントを解説します。

MEMSデバイスの製造プロセス概論: シリコン微細加工の基本フロー

MEMSデバイスの製造プロセスを基本フローから解説。シリコン深掘りエッチング（DRIE）の仕組み、ボッシュプロセスと極低温プロセスの違い、スティクションやノッチングなど量産化を阻む技術課題まで、体系的に整理します。

MEMSデバイス

SPTのプラズマエッチングとPECVD技術で、MEMSデバイスの高精度かつスケーラブルな製造を可能にします。