ソリューション

多様な材料に対応した絶縁物・化合物エッチング

絶縁膜から化合物半導体まで、材料ごとに異なるエッチング特性にどう対応するか。SiO2・InP・SiCの加工事例と装置選定の考え方を紹介する技術資料を無料ダウンロード。

ボッシュプロセスによるSi深掘りエッチング (Si DRIE)

Si深掘りエッチング（DRIE）のボッシュプロセス原理と、アスペクト比60以上・高速30μm/min以上を実現した装置事例を解説。MEMS・TSV製造のプロセス検討に役立つ資料を無料でダウンロードできます。