MEMSデバイスやTSV（シリコン貫通電極）の製造では、シリコン内に高アスペクト比かつ垂直な構造を高い再現性で形成する技術が不可欠です。しかし、アスペクト比を高めながら側壁の荒れや底面残渣を抑え、量産レベルの均一性とスループットを両立させることは、プロセス開発における大きな課題です。

本レポートでは、Si深掘りエッチングの代表的手法であるボッシュプロセスについて、ポリマーデポジションとエッチングを繰り返す原理から、それを実現するために必要なプラズマ源・バイアスRFシステム・高速ガス切り替え機構までを整理し、装置選定・プロセス設計における判断材料を提供します。

具体的には、Si深掘りエッチング装置Predeusによる、サブミクロンパターンでアスペクト比60以上を実現したトレンチエッチング事例、および1mm以上の大開口パターンでの加工事例をご紹介します。あわせて、より高速なエッチング（最大30μm/min以上）に対応するProxionの特長、貼り合わせ基板・SOI基板など多様な基板への対応実績、4インチから300mmまでのウェハサイズ対応についても解説しています。研究開発から量産まで、幅広いニーズにおけるプロセス検討の一助としてご活用ください。