ソリューション

化合物半導体 (GaAs・InP) のプラズマエッチング: 塩素系ガスの選択と制御

GaAs・InPのプラズマエッチングでは、副生成物である塩化物の揮発性の差が加工結果を左右します。Cl2・BCl3・Ar・N2それぞれの役割分担から、温度・プラズマダメージ・アスペクト比という実務課題までを解説します。

多様な材料に対応した絶縁物・化合物エッチング

絶縁膜から化合物半導体まで、材料ごとに異なるエッチング特性にどう対応するか。SiO2・InP・SiCの加工事例と装置選定の考え方を紹介する技術資料を無料ダウンロード。