MEMSデバイスなどに求められるSi深掘りエッチングの加工精度は、年々高まっています。なかでも、イオンの入射角が斜めになることでエッチング形状が傾く「チルティング」は、大口径ウエハの処理で生じる技術課題の1つです。ウエハ面内の形状ばらつきは、歩留まりや品質の安定にも影響します。

本レポートでは、チルティングが発生するメカニズムを、プラズマ密度の分布とイオンの進行方向から整理します。あわせて、独自技術による高い密度均一性を持つプラズマ源を搭載したSi DRIE装置Predeusが、大口径ウエハでもチルティングを抑制した事例をご紹介します。

具体的には、Siパワーデバイスのスーパージャンクション型トレンチ加工について、ウエハ位置ごとのチルト角の評価結果と、SEMによるトレンチ形状の観察結果をご覧いただけます。SiO2エッチングの面内分布も掲載し、プラズマ源の均一性を裏付けます。数値を含む詳細データと加工画像は、資料本編でご確認ください。研究開発から量産まで、プロセス検討にご活用ください。