在 MEMS 器件与 TSV（硅通孔）制造中，以高重复性在硅基底中构建高深宽比且具有垂直侧壁的微结构，是一项不可或缺的关键技术。然而，在提升深宽比的同时抑制侧壁粗糙度与底部残留，并兼顾量产级别的均匀性与产出率（Throughput），始终是工艺开发中面临的重大挑战。

本技术报告针对硅深反应离子刻蚀（Si DRIE）的代表性方法—Bosch 工艺，从交替循环聚合物沉积与刻蚀的反应机理出发，全面梳理了实现该工艺所必需的等离子体源、偏压射频（Bias RF）系统以及高速气体切换机构，为设备选型及工艺设计提供切实有效的参考依据。

具体而言，本报告将介绍硅深刻蚀设备 Predeus 在亚微米图案下实现深宽比 60 以上的沟槽刻蚀案例，以及开孔尺寸达 1mm 以上的大面积图案加工实例。同时，还将阐述支持更高刻蚀速率（最高可达 30μm/min 以上）的 Proxion 系列特色、在键合基板与 SOI 基板等多样化基材上的加工实绩，以及从 4 英寸到 300mm 晶圆尺寸的广泛兼容能力。无论是前沿研发还是规模量产，本报告均可为各阶段的工艺评估提供有力支持。