ソリューション

犠牲層エッチングにおけるスティクション対策

犠牲層エッチングにおけるスティクション対策を、原因から整理。ウェット乾燥の毛細管力と気相HFの水の凝縮を切り分け、超臨界CO2乾燥や気相リリースの前提条件、確認ポイントを解説します。

GaN HEMTのドライエッチング：低ダメージ加工の原理と表面ダメージ制御

GaN HEMTのドライエッチングでは、加工の駆動力であるイオン衝撃そのものがダメージ源となります。表面ダメージが2DEG特性を劣化させる仕組みと、低ダメージ加工の二つの制御方針を整理します。

SiCパワーデバイスのドライエッチングプロセス：なぜシリコンと同じ条件が使えないのか

SiCパワーデバイスのドライエッチングプロセスで、なぜシリコンと同じ条件が使えないのか。炭化ケイ素の結合エネルギー・熱伝導率が生む制約と、選択比・プロファイル制御のジレンマを技術解説します。

化合物半導体 (GaAs・InP) のプラズマエッチング: 塩素系ガスの選択と制御

GaAs・InPのプラズマエッチングでは、副生成物である塩化物の揮発性の差が加工結果を左右します。Cl2・BCl3・Ar・N2それぞれの役割分担から、温度・プラズマダメージ・アスペクト比という実務課題までを解説します。

ボッシュプロセスにおけるスキャロップとは？低減の考え方

ボッシュプロセスで必然的に発生するスキャロップとは何か。DRIEの標準技術の原理から、リーク電流やTSVボイドといったデバイス影響、低減アプローチとエッチングレートのトレードオフまでを、業界データに基づき解説します。

Si DRIEとは？ボッシュプロセスの原理と深掘りエッチングの基礎

Si DRIE（シリコン深掘り反応性イオンエッチング）とボッシュプロセスの原理を解説。SF6とC4F8による異方性エッチングの仕組み、スキャロップやARDEといった技術課題、MEMS・TSV製造での役割まで体系的に理解できます。

MEMSデバイスの製造プロセス概論: シリコン微細加工の基本フロー

MEMSデバイスの製造プロセスを基本フローから解説。シリコン深掘りエッチング（DRIE）の仕組み、ボッシュプロセスと極低温プロセスの違い、スティクションやノッチングなど量産化を阻む技術課題まで、体系的に整理します。