解决方案

GaN HEMT 干法刻蚀：低损伤加工原理与表面损伤控制

在GaN HEMT干法刻蚀中，离子轰击既是驱动力也是损伤源。本文解析表面损伤劣化2DEG特性的机理，并梳理自限式循环工艺与低离子能量连续工艺这两种低损伤控制策略，助您优化工艺并平衡精度与吞吐量。

化合物半导体（GaAs·InP）的等离子体刻蚀：氯基气体的选择与控制

本文解析GaAs与InP等离子体刻蚀中氯化物挥发性的差异对加工的影响。深入探讨Cl2、BCl3、Ar、N2气体的作用分工，以及应对基底温度、PID损伤、深宽比（ARDE）等实际工艺挑战与低偏压优化方案。

面向多样化材料的绝缘介质与化合物半导体刻蚀技术

探讨如何应对从绝缘膜到化合物半导体不同材料的刻蚀特性差异。本技术资料详细介绍了SiO₂、InP、SiC的精密加工案例与设备选型思路，助力提升工艺品质。欢迎免费下载技术白皮书，获取更多前沿解决方案。