ソリューション

犠牲層エッチングにおけるスティクション対策

犠牲層エッチングにおけるスティクション対策を、原因から整理。ウェット乾燥の毛細管力と気相HFの水の凝縮を切り分け、超臨界CO2乾燥や気相リリースの前提条件、確認ポイントを解説します。

PECVDによる薄膜成膜：SiO₂とSiNの膜質制御パラメータ

同じプラズマCVD（PECVD）でも、条件次第で膜質は大きく変わります。SiO₂とシリコン窒化膜（SiN）の膜応力・屈折率を決める周波数、ガス流量比、基板温度の制御パラメータを、実データをもとに解説します。

低温PECVDとサーマルバジェットの考え方

サーマルバジェットの制約が厳しさを増すなか、低温PECVDで問われるのは到達温度の低さではなく、温度を下げても膜質を維持できるか。熱収支の考え方から、低温成膜で生じるトレードオフ、絶縁膜の評価軸までを実務視点で解説します。

PECVDとは？プラズマ成膜技術の基礎

PECVDとは、プラズマを利用して薄膜を形成する成膜技術です。原理からLPCVD・ALDとの違い、装置の性能水準、膜応力制御やプラズマダメージなど実務の課題までを公開データで解説します。

ボッシュプロセスにおけるスキャロップとは？低減の考え方

ボッシュプロセスで必然的に発生するスキャロップとは何か。DRIEの標準技術の原理から、リーク電流やTSVボイドといったデバイス影響、低減アプローチとエッチングレートのトレードオフまでを、業界データに基づき解説します。

Si DRIEとは？ボッシュプロセスの原理と深掘りエッチングの基礎

Si DRIE（シリコン深掘り反応性イオンエッチング）とボッシュプロセスの原理を解説。SF6とC4F8による異方性エッチングの仕組み、スキャロップやARDEといった技術課題、MEMS・TSV製造での役割まで体系的に理解できます。

MEMSデバイスの製造プロセス概論: シリコン微細加工の基本フロー

MEMSデバイスの製造プロセスを基本フローから解説。シリコン深掘りエッチング（DRIE）の仕組み、ボッシュプロセスと極低温プロセスの違い、スティクションやノッチングなど量産化を阻む技術課題まで、体系的に整理します。