ソリューション

ボッシュプロセスにおけるスキャロップとは？低減の考え方

ボッシュプロセスで必然的に発生するスキャロップとは何か。DRIEの標準技術の原理から、リーク電流やTSVボイドといったデバイス影響、低減アプローチとエッチングレートのトレードオフまでを、業界データに基づき解説します。

Si DRIEとは？ボッシュプロセスの原理と深掘りエッチングの基礎

Si DRIE（シリコン深掘り反応性イオンエッチング）とボッシュプロセスの原理を解説。SF6とC4F8による異方性エッチングの仕組み、スキャロップやARDEといった技術課題、MEMS・TSV製造での役割まで体系的に理解できます。

MEMSデバイスの製造プロセス概論: シリコン微細加工の基本フロー

MEMSデバイスの製造プロセスを基本フローから解説。シリコン深掘りエッチング（DRIE）の仕組み、ボッシュプロセスと極低温プロセスの違い、スティクションやノッチングなど量産化を阻む技術課題まで、体系的に整理します。

LEDデバイス

SPTのプラズマエッチングとPECVD技術により、マイクロLED製造で材料制御と薄膜の精度を実現します。

MEMSデバイス

SPTのプラズマエッチングとPECVD技術で、MEMSデバイスの高精度かつスケーラブルな製造を可能にします。

SiCパワーデバイス

深堀エッチングからパッシベーションまで、SPTのプラズマ・熱処理装置が高性能パワーデバイス製造を支援します。

RFデバイス

SPTはGaN-HEMTプロセスに最適化された低ダメージエッチング・成膜装置で、高周波デバイスの性能向上と統合を支援します。

アドバンストパッケージング

高速深堀エッチングと高品質PECVDにより、SPTはTSVベースの3D実装を支えるソリューションを提供します。