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MEMSからパワーデバイスまで、SPTのプラズマ・熱処理技術が多様な半導体製造に対応。課題解決型の技術を紹介します。
アルミ配線を含むMEMS構造の犠牲層エッチングで注意すべき点を解説。フッ酸によるAlの腐食、ドライプロセスでの水分凝縮、犠牲層の膜質、保護膜の選び方、信頼性試験の観点から整理します。
MEMSデバイスの犠牲層エッチングについて、XeF₂とHF蒸気の特性を比較します。スティクションと気相エッチングの基礎、各方式の選択性と実務上の留意点、犠牲層と構造層の材料に応じた方式選定の条件を解説。
犠牲層エッチングにおけるスティクション対策を、原因から整理。ウェット乾燥の毛細管力と気相HFの水の凝縮を切り分け、超臨界CO2乾燥や気相リリースの前提条件、確認ポイントを解説します。
同じプラズマCVD（PECVD）でも、条件次第で膜質は大きく変わります。SiO₂とシリコン窒化膜（SiN）の膜応力・屈折率を決める周波数、ガス流量比、基板温度の制御パラメータを、実データをもとに解説します。
サーマルバジェットの制約が厳しさを増すなか、低温PECVDで問われるのは到達温度の低さではなく、温度を下げても膜質を維持できるか。熱収支の考え方から、低温成膜で生じるトレードオフ、絶縁膜の評価軸までを実務視点で解説します。
PECVDとは、プラズマを利用して薄膜を形成する成膜技術です。原理からLPCVD・ALDとの違い、装置の性能水準、膜応力制御やプラズマダメージなど実務の課題までを公開データで解説します。
厚膜SiO₂や低応力SiNの成膜が求められるMEMS・半導体デバイス開発で、膜剥がれ・クラック・破断を抑えるPECVD装置Cetusの成膜事例を紹介する技術資料を無料でダウンロードできます。
GaN HEMTのドライエッチングでは、加工の駆動力であるイオン衝撃そのものがダメージ源となります。表面ダメージが2DEG特性を劣化させる仕組みと、低ダメージ加工の二つの制御方針を整理します。
SiCパワーデバイスのドライエッチングプロセスで、なぜシリコンと同じ条件が使えないのか。炭化ケイ素の結合エネルギー・熱伝導率が生む制約と、選択比・プロファイル制御のジレンマを技術解説します。
GaAs・InPのプラズマエッチングでは、副生成物である塩化物の揮発性の差が加工結果を左右します。Cl2・BCl3・Ar・N2それぞれの役割分担から、温度・プラズマダメージ・アスペクト比という実務課題までを解説します。
絶縁膜から化合物半導体まで、材料ごとに異なるエッチング特性にどう対応するか。SiO₂・InP・SiCの加工事例と装置選定の考え方を紹介する技術資料を無料ダウンロード。
Si深掘りエッチング（DRIE）のボッシュプロセス原理と、アスペクト比60以上・高速30μm/min以上を実現した装置事例を解説。MEMS・TSV製造のプロセス検討に役立つ資料を無料でダウンロードできます。
ボッシュプロセスで必然的に発生するスキャロップとは何か。DRIEの標準技術の原理から、リーク電流やTSVボイドといったデバイス影響、低減アプローチとエッチングレートのトレードオフまでを、業界データに基づき解説します。
Si DRIE（シリコン深掘り反応性イオンエッチング）とボッシュプロセスの原理を解説。SF6とC4F8による異方性エッチングの仕組み、スキャロップやARDEといった技術課題、MEMS・TSV製造での役割まで体系的に理解できます。
MEMSデバイスの製造プロセスを基本フローから解説。シリコン深掘りエッチング（DRIE）の仕組み、ボッシュプロセスと極低温プロセスの違い、スティクションやノッチングなど量産化を阻む技術課題まで、体系的に整理します。
SPTのプラズマエッチングとPECVD技術により、マイクロLED製造で材料制御と薄膜の精度を実現します。
SPTのプラズマエッチングとPECVD技術で、MEMSデバイスの高精度かつスケーラブルな製造を可能にします。
深堀エッチングからパッシベーションまで、SPTのプラズマ・熱処理装置が高性能パワーデバイス製造を支援します。
SPTはGaN-HEMTプロセスに最適化された低ダメージエッチング・成膜装置で、高周波デバイスの性能向上と統合を支援します。
高速深堀エッチングと高品質PECVDにより、SPTはTSVベースの3D実装を支えるソリューションを提供します。
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